瑞銀證券臺灣半導體分析師林莉鈞9月24日表示，對半導體業(yè)展望審慎樂觀，預期2025年將持續(xù)增長，其中，不含記憶體的半導體營收今年將成長約8%，明年有望再增長18%，成長動能主要來自消費類和AI相關產(chǎn)品，因目前下游庫存狀況健康、且較為穩(wěn)定。
林莉鈞說，進入2025年初，預計下游庫存可能會過低，將進一步推動產(chǎn)能利用率，尤其是晶圓代工和封裝領域。雖然市場對GPU供應商推動架構過快而產(chǎn)生的良率，但預期這些問題在未來幾個月內(nèi)會逐步改善。
針對先進制程，2納米技術被視為未來幾年的重要機會，預計將超過3納米的需求高峰。隨著AI、PC和手機對運算能力的需求上升，且成熟制程晶圓代工廠利用率回升，預計臺灣的晶圓代工廠明年將呈現(xiàn)強勁增長。
瑞銀臺灣硬體科技研究部主管陳星嘉指出，AI伺服器方面，首先投資人擔心美國四大云服務商（CSP）資本支出是否能持續(xù)，進而影響臺灣供應鏈。
記憶體寒冬將至供過于求問題將延續(xù)至2026
外界普遍認為記憶體市況正走在穩(wěn)健的道路之際，外資摩根士丹利最新報告卻大潑冷水，直言記憶體“寒冬將至”，DRAM市場恐從周期性高峰回落，預期最快將于第4季反轉(zhuǎn)向下，開始面臨供過于求壓力，不僅接下來訂價環(huán)境更具挑戰(zhàn)，供過于求問題更會一路延續(xù)至2026年。
大摩是近期開出第一槍看壞記憶體市況的外資，法人認為，若DRAM市況反轉(zhuǎn)向下，將牽動臺灣相關業(yè)者后市。
大摩今年第2季初仍看多記憶體市況，當時認為在AI快速發(fā)展下，將導致DRAM和高頻寬記憶體（HBM）供不應求，預計整個DRAM市場供應缺口高達23%，樂觀預期將出現(xiàn)產(chǎn)業(yè)“超級周期”。短短半年大摩即“變臉”，最新記憶體產(chǎn)業(yè)報告出現(xiàn)180度大轉(zhuǎn)變。
摩在最新報告指出，“行業(yè)不會永遠處于夏季，寒冬總會到來”，盡管記憶體價格仍在上漲，但隨著供應追上需求，增長速度正在接近峰值，將記憶體周指標自2021年以來首次從“周期后期”調(diào)整為“周期峰值”，研判在接下來的幾個季度中，記憶體產(chǎn)業(yè)將走完一個完整周期，最快今年第4季就會看到這個高峰周期結(jié)束。
大摩強調(diào)，雖然AI需求相對仍強勁，但傳統(tǒng)終端市場最近幾周已惡化或保持疲軟，并導致價格下滑，初步跡象表明，第4季訂價環(huán)境將更具挑戰(zhàn)，預期恐于2025年出現(xiàn)趨勢逆轉(zhuǎn)，DRAM將一路供過于求至2026年，主因庫存持續(xù)積累，并加劇供需失衡狀況。
就主要廠商后市來看，大摩大刀一揮，大砍SK海力士目標價，從26萬韓元腰斬至12萬韓元。
大摩認為，SK海力士今年大部分時期仍將表現(xiàn)良好，但從第4季開始烏云密布；大摩看壞SK海力士之際，對南亞科、旺宏等臺灣記憶體廠也同步給予“減碼”評等，使得以DRAM為主要貨源、常因市況起伏而影響營運的威剛、十銓、創(chuàng)見等記憶體模組廠后市同受關注。
HBM市場分散化、AI投資達高峰明年恐供過于求
外資摩根士丹利最新報告開出進看壞DRAM市況的第一槍之際，同步唱衰當紅的高頻寬記憶體（HBM）后市，預期隨著市場分散化以及AI領域投資達到高峰，明年HBM市場可能供過于求。惟記憶體業(yè)者普遍不認同大摩的觀點，認為HBM市場一路旺到2025年無虞。
大摩的觀點是，每家記憶體廠都在根據(jù)HBM產(chǎn)出的最佳可能情況進行生產(chǎn)，將全球原本用于生產(chǎn)DRAM的15%產(chǎn)能轉(zhuǎn)換至生產(chǎn)HBM，這只需要少量的資本投資，預估僅不到2024年DRAM晶圓制造設備的10%，然而，如果按這個計畫進行，HBM產(chǎn)能可能會面臨過剩。
大摩直言，現(xiàn)階段業(yè)界良好的HBM供應狀態(tài)，2025年時，恐面臨實際產(chǎn)出可能會逐漸趕上、甚至超過當前被高估的需求量。一旦上述問題浮現(xiàn)，導致HBM供過于求，記憶體廠可把產(chǎn)能挪回制造DDR5，并閑置一小部分后端設備。
目前全球HBM主要由SK海力士、三星、美光等三家國外大廠供應，臺廠并未涉入HBM制造。相較于大摩看壞HBM市場發(fā)展，SK海力士、三星仍力挺HBM后市。
三星、SK海力士本月初來臺參加國際半導體展（SEMICON Taiwan 2024），當時兩大廠即同步釋出對HBM后市正向看待的觀點，并積極推出最新產(chǎn)品，且不約而同強調(diào)將強化與其他晶圓廠合作。
三星并推估，HBM市場規(guī)模今年將達到16億Gb，相當于2016年到2023年加起來再乘以兩倍的數(shù)字，顯現(xiàn)HBM市場爆發(fā)力強勁，看好AI將帶動DRAM市場蓬勃發(fā)展。為此，三星下世代MCRDIMM也已經(jīng)準備好將在年底量產(chǎn)，并推出32Gb DDR5。
來源：內(nèi)容綜合自經(jīng)濟日報
